2分鐘前 莞城手機殼曝光顯影工廠信息推薦「利成感光」[利成感光38dbdb8]內(nèi)容：顯影液去除并且清洗（rinse）：達到顯影時間后，使用DIW立即沖洗晶圓表面。去離子水不僅可以使顯影過程終止，而且會把顯影后缺陷顆粒沖洗掉。在沖洗過程中，晶圓顯影工藝是指用顯影液去除晶圓上部分光刻膠，形成三維的物理圖形

旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力也對去除表面顆粒有很大的幫助。甩干（spin dry）：為了將表面的去離子水甩干，將硅片轉(zhuǎn)到高轉(zhuǎn)速蝕刻加工中曝光顯影是蝕刻工序前的一步重要的工序，曝光是將需要蝕刻的圖案通過光繪轉(zhuǎn)移到兩張一樣的菲林膠片上，曝光顯影是一種攝影技術(shù)，其過程包括兩個步驟：曝光和顯影。在曝光過程中，光線照射到感光材料上，使材料中的紋理或顏色發(fā)生變化。在顯影過程中，通過將已曝光的感光材料轉(zhuǎn)移到顯影劑中，然后在定影劑中處理，產(chǎn)生可見的圖像。

顯影：將曝光后的硅片浸泡在顯影液中，在此過程中，光刻膠會在掩膜中沒有被曝光的部分（即需要去除的圖案區(qū)域）中被消蝕，并暴露出硅片表面。曝光一般在曝光機內(nèi)進行，目前的曝光機依據(jù)光源冷卻方式可分為風冷和水冷，曝光質(zhì)量取決于除干膜致抗蝕劑、光源選擇、曝光時間、菲林膠片質(zhì)量等因素。盡管對193i負膠的研發(fā)已經(jīng)傾注了很大的努力，但是其性能仍然與正膠有比較大的差距，所以提出負顯影（Negative Tone Develop，NTD）。

用負顯影工藝可以實現(xiàn)較窄的溝槽，負顯影工藝已經(jīng)被廣泛用于20納米及以下技術(shù)節(jié)點的量產(chǎn)中 [1] 。顯影液表面停留（puddle）：為了讓顯影液與光刻膠進行充分反應，用負顯影工藝可以實現(xiàn)較窄的溝槽，負顯影工藝已經(jīng)被廣泛用于20納米及以下技術(shù)節(jié)點的量產(chǎn)中 [1] 。所以的辦法是依據(jù)顯影的干膜光亮程度，圖像清晰度，圖案線條與底片相符，曝光設備參數(shù)和感光性能，確定適合的曝光時間。